casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR
codice articolo del costruttore | MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WPDFN (6x8) (MLP8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR-FT |
M28W640FCB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW640F70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29DW641F60ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W160EB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W160EB70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel