casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M28W640HCT70ZB6F TR
codice articolo del costruttore | M28W640HCT70ZB6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M28W640HCT70ZB6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M28W640HCT70ZB6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6.39x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M28W640HCT70ZB6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M28W640HCT70ZB6F TR-FT |
M29DW256G70NF6E
Micron Technology Inc.
M29DW256G70NF6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128FH70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128FL70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128FL70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128FT70N6E
STMicroelectronics
M29W128GH70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70N6F TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel