casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QL01GBBB1EW9-0SIT
codice articolo del costruttore | MT25QL01GBBB1EW9-0SIT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QL01GBBB1EW9-0SIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WPDFN (6x8) (MLP8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QL01GBBB1EW9-0SIT-FT |
NAND512W3A2SN6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M28W640FCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640FCB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW640F70ZE6E
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel