casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W800DB70ZE6E
codice articolo del costruttore | M29W800DB70ZE6E |
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Numero di parte futuro | FT-M29W800DB70ZE6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W800DB70ZE6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W800DB70ZE6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W800DB70ZE6E-FT |
LH28F160S5T-L70A
Sharp Microelectronics
LH28F320SKTD-L70
Sharp Microelectronics
LH28F640SPHT-PTL12
SHARP/Socle Technology
M29DW128F70NF6E
Micron Technology Inc.
M29DW256G70NF6E
Micron Technology Inc.
M29DW256G70NF6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128FH70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128FL70N6E
Micron Technology Inc.
M29W128FL70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128FT70N6E
STMicroelectronics
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel