casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMS8550-H-TP
codice articolo del costruttore | MMS8550-H-TP |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MMS8550-H-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMS8550-H-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA, 1V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMS8550-H-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMS8550-H-TP-FT |
ZXTPS717MCTA
Diodes Incorporated
2N6388
Central Semiconductor Corp
2N6488
Central Semiconductor Corp
2N6491
Central Semiconductor Corp
2SA1213-Y-TP
Micro Commercial Co
BU407
Central Semiconductor Corp
BU408
Central Semiconductor Corp
JAN2N2221A
Microsemi Corporation
JAN2N2907AL
Microsemi Corporation
JAN2N2907AUA
Microsemi Corporation
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5SGXEA7H3F35C2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C3N
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation