casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2907AL
codice articolo del costruttore | JAN2N2907AL |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2907AL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/291 |
JAN2N2907AL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | UA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2907AL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2907AL-FT |
JANTX2N3766
Microsemi Corporation
JANTX2N3767
Microsemi Corporation
JANTX2N3867
Microsemi Corporation
JANTX2N3867S
Microsemi Corporation
JANTX2N3902
Microsemi Corporation
JANTX2N3998
Microsemi Corporation
JANTX2N4234
Microsemi Corporation
JANTX2N4235
Microsemi Corporation
JANTX2N4236
Microsemi Corporation
JANTX2N4237
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel
EP20K160EQC240-3N
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EPF10K30EQC208-2N
Intel