casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2907AL
codice articolo del costruttore | JAN2N2907AL |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2907AL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/291 |
JAN2N2907AL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | UA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2907AL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2907AL-FT |
JANTX2N3766
Microsemi Corporation
JANTX2N3767
Microsemi Corporation
JANTX2N3867
Microsemi Corporation
JANTX2N3867S
Microsemi Corporation
JANTX2N3902
Microsemi Corporation
JANTX2N3998
Microsemi Corporation
JANTX2N4234
Microsemi Corporation
JANTX2N4235
Microsemi Corporation
JANTX2N4236
Microsemi Corporation
JANTX2N4237
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel