casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2907AUA
codice articolo del costruttore | JAN2N2907AUA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JAN2N2907AUA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/291 |
JAN2N2907AUA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | UA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2907AUA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2907AUA-FT |
JANTX2N3767
Microsemi Corporation
JANTX2N3867
Microsemi Corporation
JANTX2N3867S
Microsemi Corporation
JANTX2N3902
Microsemi Corporation
JANTX2N3998
Microsemi Corporation
JANTX2N4234
Microsemi Corporation
JANTX2N4235
Microsemi Corporation
JANTX2N4236
Microsemi Corporation
JANTX2N4237
Microsemi Corporation
JANTX2N4238
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel