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IXYS MMIX1F360N15T2

Numero parte MFG
MMIX1F360N15T2
quantità disponibile
86310 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 26.5364
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
GigaMOS™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 150V 235A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore MMIX1F360N15T2
Numero di parte futuro FT-MMIX1F360N15T2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie GigaMOS™, TrenchT2™
MMIX1F360N15T2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 235A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 715nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 47500pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 680W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 24-SMPD
Pacchetto / caso 24-PowerSMD, 21 Leads
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MMIX1F360N15T2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio MMIX1F360N15T2-FT

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