casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTN8N150L
codice articolo del costruttore | IXTN8N150L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXTN8N150L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTN8N150L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 4A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 15V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 545W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTN8N150L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTN8N150L-FT |
IXFH9N80Q
IXYS
IXTN60N50L2
IXYS
IXFN230N10
IXYS
IXFN80N50P
IXYS
IXFN180N10
IXYS
IXFN360N15T2
IXYS
IXFN230N20T
IXYS
IXFN48N50
IXYS
IXFN110N60P3
IXYS
IXFN360N10T
IXYS
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel