casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN50N120SK
codice articolo del costruttore | IXFN50N120SK |
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Numero di parte futuro | FT-IXFN50N120SK |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXFN50N120SK Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 40A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 20V |
Vgs (massimo) | +20V, -5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1895pF @ 1000V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN50N120SK Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN50N120SK-FT |
IXFH80N08
IXYS
IXFH80N085
IXYS
IXFH80N10
IXYS
IXFH80N10Q
IXYS
IXFH80N15Q
IXYS
IXFH80N20Q
IXYS
IXFH86N30T
IXYS
IXFH88N20Q
IXYS
IXFH8N80
IXYS
IXFH9N80Q
IXYS
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel