casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJE15032
codice articolo del costruttore | MJE15032 |
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Numero di parte futuro | FT-MJE15032 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJE15032 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 2A, 5V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE15032 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJE15032-FT |
TIP32CG
ON Semiconductor
MJE15030G
ON Semiconductor
2N6388G
ON Semiconductor
MJE5742G
ON Semiconductor
TIP127G
ON Semiconductor
TIP50G
ON Semiconductor
D44H11G
ON Semiconductor
TIP41CG
ON Semiconductor
TIP120G
ON Semiconductor
D45VH10G
ON Semiconductor
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel