casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJE18004D2
codice articolo del costruttore | MJE18004D2 |
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Numero di parte futuro | FT-MJE18004D2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJE18004D2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 400mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 2A, 1V |
Potenza - Max | 75W |
Frequenza - Transizione | 13MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE18004D2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJE18004D2-FT |
TIP41CG
ON Semiconductor
TIP120G
ON Semiconductor
D45VH10G
ON Semiconductor
BD244CG
ON Semiconductor
BD243CG
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TIP117G
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BDX34BG
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XC6SLX9-3TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FG676I
Xilinx Inc.
XC4003E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C7F27C8N
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
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10AX115N3F40I2LG
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