casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT8099LT1G
codice articolo del costruttore | MMBT8099LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT8099LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT8099LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT8099LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT8099LT1G-FT |
BDW42
ON Semiconductor
BDW46
ON Semiconductor
BDW47
ON Semiconductor
BDX33B
ON Semiconductor
BDX34B
ON Semiconductor
BUH100
ON Semiconductor
BUH100G
ON Semiconductor
BUH150
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BUH150G
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BUH50
ON Semiconductor
EPF10K30ETI144-3
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LFXP3C-4TN100I
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XA7A75T-1FGG484Q
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EP2AGX65DF25I5
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5SGSMD8N2F45C2N
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XC5VLX50T-1FFG1136C
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LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8452ALC84-2
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