codice articolo del costruttore | BDX33B |
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Numero di parte futuro | FT-BDX33B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDX33B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 6mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Potenza - Max | 70W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDX33B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDX33B-FT |
TIP42G
ON Semiconductor
2N6109G
ON Semiconductor
BD242BG
ON Semiconductor
BDW46G
ON Semiconductor
TIP126G
ON Semiconductor
TIP115G
ON Semiconductor
BD809G
ON Semiconductor
TIP116G
ON Semiconductor
TIP100G
ON Semiconductor
MJE2955TG
ON Semiconductor
AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
Xilinx Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
Intel
EPF8282ALC84-4N
Intel
EPF8452AQC160-4
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel