codice articolo del costruttore | BDW47 |
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Numero di parte futuro | FT-BDW47 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDW47 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 50mA, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
Potenza - Max | 85W |
Frequenza - Transizione | 4MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDW47 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDW47-FT |
TIP29AG
ON Semiconductor
TIP42G
ON Semiconductor
2N6109G
ON Semiconductor
BD242BG
ON Semiconductor
BDW46G
ON Semiconductor
TIP126G
ON Semiconductor
TIP115G
ON Semiconductor
BD809G
ON Semiconductor
TIP116G
ON Semiconductor
TIP100G
ON Semiconductor
LCMXO2-2000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFE2-50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
Intel
EP4CE30F29I7N
Intel