casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSV1C201LT1G
codice articolo del costruttore | NSV1C201LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSV1C201LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSV1C201LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 490mW |
Frequenza - Transizione | 110MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV1C201LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSV1C201LT1G-FT |
MMBTA56LT1G-HFE
ON Semiconductor
NSVBC818-40LT1G
ON Semiconductor
BC856BLT3G
ON Semiconductor
MMBTA42LT3G
ON Semiconductor
SMMBT5551LT3G
ON Semiconductor
BC857CLT1G
ON Semiconductor
BC846ALT3G
ON Semiconductor
SBC807-40LT3G
ON Semiconductor
MMBTA14LT1G
ON Semiconductor
MSD602-RT1G
ON Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel