casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / SMSD602-RT1G
codice articolo del costruttore | SMSD602-RT1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMSD602-RT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMSD602-RT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMSD602-RT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMSD602-RT1G-FT |
BC857CLT1G
ON Semiconductor
BC846ALT3G
ON Semiconductor
SBC807-40LT3G
ON Semiconductor
MMBTA14LT1G
ON Semiconductor
MSD602-RT1G
ON Semiconductor
MMBT2369ALT1G
ON Semiconductor
MMBTA55LT1G
ON Semiconductor
MMBTA64LT1G
ON Semiconductor
MMBT589LT1G
ON Semiconductor
MMBTA13LT1G
ON Semiconductor
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5SGXEA7H3F35C2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C3N
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation