casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT6427LT1G
codice articolo del costruttore | MMBT6427LT1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MMBT6427LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT6427LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500µA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT6427LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT6427LT1G-FT |
MMBTA06LT1G
ON Semiconductor
MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
BC847BLT1G
ON Semiconductor
MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
NSVBC850BLT1G
ON Semiconductor
BC847CLT1G
ON Semiconductor
BC857BLT1G
ON Semiconductor
SBC817-40LT1G
ON Semiconductor
MMBT6428LT1G
ON Semiconductor
NSVBC858CLT1G
ON Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F27I7N
Intel
10M50SCE144C7G
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
EP4S40G5H40I1N
Intel
LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel
EP1S30F780C5
Intel