casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MMBF170LT1G
codice articolo del costruttore | MMBF170LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBF170LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBF170LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 225mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBF170LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBF170LT1G-FT |
NTP85N03
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NTP85N03G
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XC7VX690T-1FFG1930C
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A42MX09-TQ176
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M1A3P1000L-FGG144
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