casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BBL4001-1E
codice articolo del costruttore | BBL4001-1E |
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Numero di parte futuro | FT-BBL4001-1E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BBL4001-1E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 74A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBL4001-1E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BBL4001-1E-FT |
FCH067N65S3-F155
ON Semiconductor
FCH070N60E
ON Semiconductor
FCH077N65F-F155
ON Semiconductor
FCH085N80-F155
ON Semiconductor
FCH099N65S3_F155
ON Semiconductor
FCH110N65F-F155
ON Semiconductor
FCH190N65F-F155
ON Semiconductor
FCH35N60
ON Semiconductor
MTW32N20E
ON Semiconductor
MTW32N20EG
ON Semiconductor