casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MLP2016H3R3MT
codice articolo del costruttore | MLP2016H3R3MT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MLP2016H3R3MT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLP |
MLP2016H3R3MT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016H3R3MT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MLP2016H3R3MT-FT |
MLZ2012A3R3WTD25
TDK Corporation
MLZ2012DR10DT000
TDK Corporation
MLZ2012DR10DTD25
TDK Corporation
MLZ2012DR22DT000
TDK Corporation
MLZ2012DR22DTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R0HTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HT000
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HTD25
TDK Corporation
MLZ2012M220WT000
TDK Corporation
MLZ2012M2R2HTD25
TDK Corporation
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation