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codice articolo del costruttore | MLZ2012A3R3WTD25 |
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Numero di parte futuro | FT-MLZ2012A3R3WTD25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLZ |
MLZ2012A3R3WTD25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | 200mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 340 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 10MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.05mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLZ2012A3R3WTD25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MLZ2012A3R3WTD25-FT |
NLCV25T-330K-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EF
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EF
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-6R8M-EFD
TDK Corporation
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel