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codice articolo del costruttore | MLP2016H1R0MT0S1 |
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Numero di parte futuro | FT-MLP2016H1R0MT0S1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLP |
MLP2016H1R0MT0S1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 112.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016H1R0MT0S1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MLP2016H1R0MT0S1-FT |
MLZ2012M1R5HTD25
TDK Corporation
MLZ2012M220WT000
TDK Corporation
MLZ2012M2R2HTD25
TDK Corporation
MLZ2012M3R3HTD25
TDK Corporation
MLZ2012M470WTD25
TDK Corporation
MLZ2012M6R8HTD25
TDK Corporation
MLZ2012N101LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N1R0LT000
TDK Corporation
MLZ2012N1R0LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N1R5LTD25
TDK Corporation
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel