casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MLG0402P0N3BT000
codice articolo del costruttore | MLG0402P0N3BT000 |
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Numero di parte futuro | FT-MLG0402P0N3BT000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLG-P |
MLG0402P0N3BT000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 0.3nH |
Tolleranza | ±0.1nH |
Valutazione attuale | 350mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 10GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 01005 (0402 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.009" (0.23mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLG0402P0N3BT000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MLG0402P0N3BT000-FT |
MLP2016H1R0MT0S1
TDK Corporation
MLP2016S1R5MT0S1
TDK Corporation
MLP2016S2R2MT0S1
TDK Corporation
MLP2016SR47MT0S1
TDK Corporation
MLP2012S2R2MT0S1
TDK Corporation
MLP2012S4R7MT0S1
TDK Corporation
MLP2012S1R5MT0S1
TDK Corporation
MLP2012V1R0MT0S1
TDK Corporation
MLP2012H2R2MT0S1
TDK Corporation
MLP2012S1R0MT0S1
TDK Corporation
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation