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codice articolo del costruttore | MLP2012H2R2MT0S1 |
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Numero di parte futuro | FT-MLP2012H2R2MT0S1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLP |
MLP2012H2R2MT0S1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 195 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2012H2R2MT0S1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MLP2012H2R2MT0S1-FT |
MLZ2012N1R0LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N1R5LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N2R2LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N3R3LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N4R7LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N6R8LT000
TDK Corporation
MLZ2012P220WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A1R0M
TDK Corporation
MLZ2012A2R2MT000
TDK Corporation
MLZ2012DR10MT000
TDK Corporation
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation