casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MLF1608DR10M
codice articolo del costruttore | MLF1608DR10M |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MLF1608DR10M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLF |
MLF1608DR10M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 200mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 350 mOhm Max |
Q @ Freq | 15 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 450MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.037" (0.95mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLF1608DR10M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MLF1608DR10M-FT |
VLS201612HBX-R47M-1
TDK Corporation
VLS252010HBX-3R3M-1
TDK Corporation
VLS252010HBX-R33M-1
TDK Corporation
VLS252010HBX-R68M-1
TDK Corporation
VLS252012HBX-100M-1
TDK Corporation
VLS252012HBX-1R5M-1
TDK Corporation
VLS252012HBX-4R7M-1
TDK Corporation
VLS252012HBX-R24M-1
TDK Corporation
VLS252012HBX-R33M-1
TDK Corporation
GLCR2012T100M-HC
TDK Corporation
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU095-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
APA300-FGG256A
Microsemi Corporation
APA600-FGG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152I4N
Intel
XC4010E-4HQ208C
Xilinx Inc.