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codice articolo del costruttore | VLS252012HBX-100M-1 |
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Numero di parte futuro | FT-VLS252012HBX-100M-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS-HBX-1 |
VLS252012HBX-100M-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1A |
Corrente - Saturazione | 850mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 540 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252012HBX-100M-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS252012HBX-100M-1-FT |
MLD2016S1R5MTD25
TDK Corporation
MLD2012SR47TTD25
TDK Corporation
MLD2016S1R0MTD25
TDK Corporation
MLD2016S2R2MTD25
TDK Corporation
MLD2016S3R3MTD25
TDK Corporation
MLD2016S4R7MTD25
TDK Corporation
VLS5045EX-2R2N
TDK Corporation
VLS5045EX-1R5N
TDK Corporation
VLS5045EX-6R8M-CA
TDK Corporation
VLS5045EX-470M
TDK Corporation
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation