casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJW21193G
codice articolo del costruttore | MJW21193G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MJW21193G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJW21193G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 16A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 3.2A, 16A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 8A, 5V |
Potenza - Max | 200W |
Frequenza - Transizione | 4MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJW21193G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJW21193G-FT |
2SA1962OTU
ON Semiconductor
NJW1302G
ON Semiconductor
FJA4310OTU
ON Semiconductor
2STC5242
STMicroelectronics
2SA1962-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
NJW21193G
ON Semiconductor
2SC5242-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD1047
STMicroelectronics
FJA4213OTU
ON Semiconductor
2SA1943N(S1,E,S)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5SGXEA7H3F35C2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C3N
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation