casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NJW1302G
codice articolo del costruttore | NJW1302G |
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Numero di parte futuro | FT-NJW1302G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJW1302G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 800mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 3A, 5V |
Potenza - Max | 200W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P-3L |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJW1302G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NJW1302G-FT |
MPSA05RLRA
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MPSA06RLRA
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MPSA27RLRA
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MPSA42RLRA
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MPSA55RLRA
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PN2222ARLRA
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XA3S100E-4CPG132I
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XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
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XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
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LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
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