casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1962-O(Q)
codice articolo del costruttore | 2SA1962-O(Q) |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1962-O(Q) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1962-O(Q) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 230V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V |
Potenza - Max | 130W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(N) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1962-O(Q) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1962-O(Q)-FT |
MPSA29RLRP
ON Semiconductor
MPSA42RLRA
ON Semiconductor
MPSA44RLRA
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MPSA55RLRA
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MPSA56RLRA
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MPSA92RLRA
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PN2222ARLRA
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AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
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5SGSMD6N3F45C2N
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LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
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EPF8282ALC84-4N
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EPF8452AQC160-4
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EP4SGX180FF35I3
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