casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJW1302AG
codice articolo del costruttore | MJW1302AG |
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Numero di parte futuro | FT-MJW1302AG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJW1302AG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 230V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 1A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 7A, 5V |
Potenza - Max | 200W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJW1302AG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJW1302AG-FT |
TIP35CP
STMicroelectronics
NJW0281G
ON Semiconductor
2STA1962
STMicroelectronics
2STA2120
STMicroelectronics
NJW21194G
ON Semiconductor
2SA1962OTU
ON Semiconductor
NJW1302G
ON Semiconductor
FJA4310OTU
ON Semiconductor
2STC5242
STMicroelectronics
2SA1962-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
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XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel