codice articolo del costruttore | MJD50G |
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Numero di parte futuro | FT-MJD50G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD50G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Potenza - Max | 1.56W |
Frequenza - Transizione | 10MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD50G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD50G-FT |
MMBT4403WT1G
ON Semiconductor
SMMBTA06WT3G
ON Semiconductor
BC857BWT1G
ON Semiconductor
MMBTA06WT1G
ON Semiconductor
BC848BWT1G
ON Semiconductor
BC856BWT1G
ON Semiconductor
MMBT4401WT1G
ON Semiconductor
BC847AWT1G
ON Semiconductor
BC857CWT1G
ON Semiconductor
SBC846BWT1G
ON Semiconductor
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
5SGXMA7H2F35C3
Intel
EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel