casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC856BWT1G
codice articolo del costruttore | BC856BWT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BC856BWT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC856BWT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856BWT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC856BWT1G-FT |
2SC6094-TD-E
ON Semiconductor
2SC6095-TD-E
ON Semiconductor
PCP1203-TD-H
ON Semiconductor
2SD1628G-TD-H
ON Semiconductor
2SD1628F-TD-H
ON Semiconductor
2SD1628F-TD-E
ON Semiconductor
2SD1618T-TD-E
ON Semiconductor
2SB1124T-TD-H
ON Semiconductor
2SD1624T-TD-H
ON Semiconductor
2SA2016-TD-E
ON Semiconductor
EPF10K20TC144-4N
Intel
XC4003E-4PQ100C
Xilinx Inc.
A3P250-1PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C9L
Intel
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel