casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / SBC846BWT1G
codice articolo del costruttore | SBC846BWT1G |
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Numero di parte futuro | FT-SBC846BWT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SBC846BWT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBC846BWT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBC846BWT1G-FT |
2SD1628F-TD-H
ON Semiconductor
2SD1628F-TD-E
ON Semiconductor
2SD1618T-TD-E
ON Semiconductor
2SB1124T-TD-H
ON Semiconductor
2SD1624T-TD-H
ON Semiconductor
2SA2016-TD-E
ON Semiconductor
2SC3647T-TD-E
ON Semiconductor
2SA1416T-TD-E
ON Semiconductor
2SA2012-TD-E
ON Semiconductor
2SA2125-TD-H
ON Semiconductor
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S100E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
Intel
5CGXBC9E6F35C7N
Intel