casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD128T4
codice articolo del costruttore | MJD128T4 |
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Numero di parte futuro | FT-MJD128T4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD128T4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 4MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD128T4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD128T4-FT |
MJD42CG
ON Semiconductor
MJD32CG
ON Semiconductor
MJD45H11G
ON Semiconductor
NJVMJD47T4G
ON Semiconductor
MJD47G
ON Semiconductor
MJD50G
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MJD243G
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NJVMJD44H11G
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MJD2955G
ON Semiconductor
NJVMJD45H11G
ON Semiconductor
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
Intel
EP1S20F484I6N
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10AX032E3F27I2LG
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10AX048E4F29I3SG
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5SGXMA3H1F35C2LN
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