casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NJVMJD47T4G
codice articolo del costruttore | NJVMJD47T4G |
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Numero di parte futuro | FT-NJVMJD47T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJVMJD47T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Potenza - Max | 1.56W |
Frequenza - Transizione | 10MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD47T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NJVMJD47T4G-FT |
MSD42WT1G
ON Semiconductor
MMBT2222AWT3G
ON Semiconductor
MMBT4403WT1G
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SMMBTA06WT3G
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BC857BWT1G
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MMBTA06WT1G
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AGL030V2-QNG68
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M2GL050T-FGG484I
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XC3090L-8PC84C
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