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codice articolo del costruttore | MIXA60WB1200TEH |
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Numero di parte futuro | FT-MIXA60WB1200TEH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MIXA60WB1200TEH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 85A |
Potenza - Max | 290W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 55A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIXA60WB1200TEH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MIXA60WB1200TEH-FT |
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T3G
Microsemi Corporation
APTGT35X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400A120G
Microsemi Corporation
APTGT400DA120G
Microsemi Corporation
APTGT400SK120G
Microsemi Corporation
APTGT400TL65G
Microsemi Corporation
APTGT400U120D4G
Microsemi Corporation
APTGT400U170D4G
Microsemi Corporation
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation