casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT35H120T3G
codice articolo del costruttore | APTGT35H120T3G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT35H120T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT35H120T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Potenza - Max | 208W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT35H120T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT35H120T3G-FT |
APTGL60H120T3G
Microsemi Corporation
APTGL700DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGL700SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGL700U120D4G
Microsemi Corporation
APTGL90A120T1G
Microsemi Corporation
APTGL90DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGL90DDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGL90DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGL90H120T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ100A120TG
Microsemi Corporation
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XC7K70T-2FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CE40U19I7N
Intel
EPF10K50SFC256-1N
Intel
10CL006ZE144I8G
Intel
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation