casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT35X120T3G
codice articolo del costruttore | APTGT35X120T3G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT35X120T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT35X120T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Potenza - Max | 208W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT35X120T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT35X120T3G-FT |
APTGL700DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGL700SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGL700U120D4G
Microsemi Corporation
APTGL90A120T1G
Microsemi Corporation
APTGL90DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGL90DDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGL90DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGL90H120T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ100A120TG
Microsemi Corporation
APTGLQ100DA120T1G
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
AGLE600V2-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F484C7N
Intel
EP1K30FC256-3AA
Intel
5SGSMD4K2F40C3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
10M08SAM153I7G
Intel