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codice articolo del costruttore | MIXA40WB1200TED |
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Numero di parte futuro | FT-MIXA40WB1200TED |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MIXA40WB1200TED Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Potenza - Max | 195W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2.1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIXA40WB1200TED Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MIXA40WB1200TED-FT |
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T3G
Microsemi Corporation
APTGT35X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400A120G
Microsemi Corporation
APTGT400DA120G
Microsemi Corporation
APTGT400SK120G
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel