casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MII75-12A3
codice articolo del costruttore | MII75-12A3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MII75-12A3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MII75-12A3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 90A |
Potenza - Max | 370W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 4mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Y4-M5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Y4-M5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MII75-12A3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MII75-12A3-FT |
APTGT300TL65G
Microsemi Corporation
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T3G
Microsemi Corporation
APTGT35X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel