casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MII75-12A3
codice articolo del costruttore | MII75-12A3 |
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Numero di parte futuro | FT-MII75-12A3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MII75-12A3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 90A |
Potenza - Max | 370W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 4mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Y4-M5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Y4-M5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MII75-12A3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MII75-12A3-FT |
APTGT300TL65G
Microsemi Corporation
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T3G
Microsemi Corporation
APTGT35X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation
XC2V1000-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL080YF484C6G
Intel
10M04DCF256C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation