casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MII200-12A4
codice articolo del costruttore | MII200-12A4 |
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Numero di parte futuro | FT-MII200-12A4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MII200-12A4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 270A |
Potenza - Max | 1130W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Y3-DCB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Y3-DCB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MII200-12A4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MII200-12A4-FT |
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation
APTGT300SK60G
Microsemi Corporation
APTGT300TL65G
Microsemi Corporation
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T3G
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQG100I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C7N
Intel
5SGSED8K3F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I3N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I3L
Intel