casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT300SK60G
codice articolo del costruttore | APTGT300SK60G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT300SK60G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT300SK60G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 430A |
Potenza - Max | 1150W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 350µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 24nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT300SK60G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT300SK60G-FT |
VS-ETY020P120F
Vishay Semiconductor Diodes Division
APTCV40H60CT1G
Microsemi Corporation
APTCV50H60T3G
Microsemi Corporation
APTGL120TDU120TPG
Microsemi Corporation
APTGL40H120T1G
Microsemi Corporation
APTGL40X120T3G
Microsemi Corporation
APTGL475DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGL475SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGL60H120T3G
Microsemi Corporation
APTGL700DA120D3G
Microsemi Corporation