casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MD2001FX
codice articolo del costruttore | MD2001FX |
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Numero di parte futuro | FT-MD2001FX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MD2001FX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1.5A, 6A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4.5 @ 6A, 5V |
Potenza - Max | 58W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | ISOWATT218FX |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOWATT-218FX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MD2001FX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MD2001FX-FT |
BD139
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BD139-16
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BD682
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BD136
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A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
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