codice articolo del costruttore | BD135 |
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Numero di parte futuro | FT-BD135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 1.25W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-32-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD135-FT |
BC846A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC847A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC847C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC848A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC848B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC848C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC856A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC856B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC857A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC857B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel