codice articolo del costruttore | MJE350 |
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Numero di parte futuro | FT-MJE350 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJE350 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 20.8W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-32-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE350 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJE350-FT |
BC807-40 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC817-16 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC817-25 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC817-40 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC846A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC847A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC847C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC848A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC848B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC848C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
AX250-FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2N
Intel
5SGSMD6K3F40C2N
Intel
5SGSMD5H3F35C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C2LN
Intel
XC6VSX315T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation