casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRS2545CTHMNG
codice articolo del costruttore | MBRS2545CTHMNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS2545CTHMNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRS2545CTHMNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS2545CTHMNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS2545CTHMNG-FT |
MBR15100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20H100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel