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codice articolo del costruttore | MBR20H100CT C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR20H100CT C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR20H100CT C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20H100CT C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR20H100CT C0G-FT |
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR20100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR20150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR20150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1603HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel