casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR30150CT C0G
codice articolo del costruttore | MBR30150CT C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR30150CT C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR30150CT C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.02V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30150CT C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR30150CT C0G-FT |
GP1603HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation