casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRH240200
codice articolo del costruttore | MBRH240200 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRH240200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRH240200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 240A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 240A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-67 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-67 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH240200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRH240200-FT |
GP2D010A120B
Global Power Technologies Group
GP2D015A120B
Global Power Technologies Group
GP2D020A120B
Global Power Technologies Group
GP2D020A170B
Global Power Technologies Group
GP2D030A120B
Global Power Technologies Group
GP2D050A060B
Global Power Technologies Group
GP2D050A120B
Global Power Technologies Group
GP2D003A065A
Global Power Technologies Group
GP2D003A060A
Global Power Technologies Group
GP2D005A060A
Global Power Technologies Group
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel